功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
SIH2131X01-XO
SiH60B-GE3
SiH7N60E-E3
SIH7N60E-GE3
SIH7N60S
SIH7N60S-E3
SIHA12N50E-E3
SIHA12N60E-E3
SIHA15N50E-E3
SIHA15N60E-E3
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